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文献
J-GLOBAL ID：200902164005934588
整理番号：01A0078738
多量にBとGeを共ドープしたSiの種結晶を用いたDashのくびれのない無転位Czochralski Si結晶の成長
Dislocation-Free Czochralski Si Crystal Growth without Dash Necking Using a Heavily B and Ge Codoped Si Seed.
HUANG X
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
TAISHI T
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
YONENAGA I
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HOSHIKAWA K
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 11B ページ： L1115-L1117 発行年： 2000年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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