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文献
J-GLOBAL ID：200902164016189191
整理番号：94A0495358
薄膜SOIMOSFETのしきい値電圧,しきい値以下での勾配,境界結合に対する統一モデル
A unified model of threshold voltage, subthreshold slope and interface coupling in thin film SOI MOSFET’s.
IONESCU A M
(ENSERG, Grenoble, FRA)
,
CRISTOLOVEANU S
(ENSERG, Grenoble, FRA)
,
RUSU A
(Univ. “POLITEHNICA” Bucharest, Bucharest, ROM)
,
CHOVET A
(ENSERG, Grenoble, FRA)
,
HASSEIN-BEY A
(ENSERG, Grenoble, FRA)
資料名：
Proceedings. 1993 IEEE International SOI Conference
(Proceedings. 1993 IEEE International SOI Conference)
ページ： 144-145 発行年： 1993年
JST資料番号： K19940472 ISBN： 0-7803-1347-X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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