文献
J-GLOBAL ID:200902164023752691
整理番号:96A0898769
分子ビームエピタクシーで成長させたInAs/(Al,Ga)Sb量子井戸のモルホロジーと輸送特性に及ぼすバッファ層の影響
Influence of the buffer layers on the morphology and the transport properties in InAs/(Al,Ga)Sb quantum wells grown by molecular beam epitaxy.
著者 (4件):
BLANK H-R
(Univ. California, California)
,
THOMAS M
(Univ. California, California)
,
WONG K C
(Univ. California, California)
,
KROEMER H
(Univ. California, California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
69
号:
14
ページ:
2080-2082
発行年:
1996年09月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)