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文献
J-GLOBAL ID：200902164050999518
整理番号：93A0421123
GaN単結晶を用いた金属-半導体型電界効果トランジスタ
Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN.
KHAN M A
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
KUZNIA J N
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
BHATTARAI A R
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
OLSON D T
(APA Optics Inc., Minnesota)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 62 号： 15 ページ： 1786-1787 発行年： 1993年04月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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