文献
J-GLOBAL ID:200902164051653305
整理番号:01A0160482
MOCVDで成長させたGaInNAs/GaAsにおける光学品質の成長速度依存性
Optical Quality Dependence on Growth Rate for Metalorganic Chemical Vapor Deposition Grown GalnNAs/GaAs.
著者 (7件):
KAWAGUCHI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MIYAMOTO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
GOUARDES E
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SCHLENKER D
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KONDO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
39
号:
12A
ページ:
L1219-L1220
発行年:
2000年12月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)