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文献
J-GLOBAL ID:200902164089128565   整理番号:95A0722348

6H-SiC基板に同時成長したエピタキシャル3Cと6HのSiC pn接合ダイオードの熱容量分光

Thermal capacitance spectroscopy of epitaxial 3C and 6H-SiC pn junction diodes grown side by side on a 6H-SiC substrate.
著者 (5件):
SADDOW S E
(Army Res. Lab., Maryland)
LANG M
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
DALIBOR T
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
PENSL G
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
NEUDECK P G
(NASA-Lewis Res. Center, Ohio)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 66  号: 26  ページ: 3612-3614  発行年: 1995年06月26日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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