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文献
J-GLOBAL ID：200902164089128565
整理番号：95A0722348
6H-SiC基板に同時成長したエピタキシャル3Cと6HのSiC pn接合ダイオードの熱容量分光
Thermal capacitance spectroscopy of epitaxial 3C and 6H-SiC pn junction diodes grown side by side on a 6H-SiC substrate.
SADDOW S E
(Army Res. Lab., Maryland)
,
LANG M
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
,
DALIBOR T
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
,
PENSL G
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
,
NEUDECK P G
(NASA-Lewis Res. Center, Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 26 ページ： 3612-3614 発行年： 1995年06月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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