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文献
J-GLOBAL ID：200902164158226221
整理番号：93A0404633
ULSIプロセスにおけるイオン注入のための損傷分析及び工学
Damage analysis and engineering for ion implantation in ULSI process.
INOUE M
(Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
,
FUJII S
(Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
,
FUSE G
(Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 74 号： 1/2 ページ： 7-10 発行年： 1993年04月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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