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文献
J-GLOBAL ID：200902164196433265
整理番号：01A0728449
シリコン量子ドットフローティングゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのメモリ動作
Memory Operation of Silicon Quantum-Dot Floating-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors.
KOHNO A
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MURAKAMI H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
IKEDA M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MIYAZAKI S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 7B ページ： L721-L723 発行年： 2001年07月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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