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文献
J-GLOBAL ID：200902164196970406
整理番号：98A0987451
大量にBをドープした微結晶Si-GeアロイおよびB-Si-Ge/P-Si Schottky障壁の物理的性質
Physical Properties of Heavily B-doped Microcrystalline Si-Ge Alloys and Schottky Barrier of B-Si-Ge/P-Si.
OSAKA Y
(Hiroshima-Denki Inst. Technol., Hiroshima, JPN)
,
KOHNO K
(Hiroshima-Denki Inst. Technol., Hiroshima, JPN)
,
TANABE Y
(Hiroshima Univ., Higashihiroshima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 10 ページ： 5708-2713 発行年： 1998年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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