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文献
J-GLOBAL ID:200902164226902508   整理番号:99A0446983

Cl2/N2とCl2/HBrの平面誘導結合プラズマによる単結晶Siトレンチエッチングにおけるエッチ誘起損傷

Etch-induced damage in single crystal Si trench etching by planar inductively coupled Cl2/N2 and Cl2/HBr plasmas.
著者 (5件):
LEE Y J
(Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR)
HWANG S W
(Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR)
YEOM G Y
(Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR)
LEE J W
(Korean Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR)
LEE J Y
(Korean Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 341  号: 1/2  ページ: 168-171  発行年: 1999年03月12日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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