文献
J-GLOBAL ID:200902164226902508
整理番号:99A0446983
Cl2/N2とCl2/HBrの平面誘導結合プラズマによる単結晶Siトレンチエッチングにおけるエッチ誘起損傷
Etch-induced damage in single crystal Si trench etching by planar inductively coupled Cl2/N2 and Cl2/HBr plasmas.
著者 (5件):
LEE Y J
(Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR)
,
HWANG S W
(Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR)
,
YEOM G Y
(Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR)
,
LEE J W
(Korean Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR)
,
LEE J Y
(Korean Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
341
号:
1/2
ページ:
168-171
発行年:
1999年03月12日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)