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文献
J-GLOBAL ID：200902164234345596
整理番号：98A0037126
分子ビームエピタクシーによるGa1-xBxNの成長
Growth of Ga1-xBxN by Molecular Beam Epitaxy.
VEZIN V
(Mitsubishi Materials Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
YATAGAI S
(Mitsubishi Materials Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
SHIRAKI H
(Mitsubishi Materials Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
UDA S
(Mitsubishi Materials Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36 号： 11B ページ： L1483-L1485 発行年： 1997年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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