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文献
J-GLOBAL ID：200902164295859355
整理番号：93A0421265
(111)A面上に分子線エピタクシーで成長させたp型GaAs中のシリコンアクセプタの振動モード
The vibrational modes of silicon acceptors in p-type GaAs grown by molecular beam epitaxy on a (111)A plane.
ASHWIN M J
(Imperial Coll., London, GBR)
,
FAHY M R
(Imperial Coll., London, GBR)
,
NEWMAN R C
(Imperial Coll., London, GBR)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 73 号： 7 ページ： 3574-3576 発行年： 1993年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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