文献
J-GLOBAL ID:200902164345612232
整理番号:01A0777334
Hf(NEt2)4を原料ガスとして用いたHfO2薄膜の堆積
HfO2 film deposition by MOCVD using Hf(NEt2)4 as a source gas.
著者 (5件):
大下祥雄
(豊田工大)
,
小椋厚志
(NEC シリコンシステム研)
,
星野麻子
(トリケミカル研)
,
鈴木淑恵
(トリケミカル研)
,
町田英明
(トリケミカル研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
101
号:
108(SDM2001 53-58)
ページ:
31-36
発行年:
2001年06月08日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)