文献
J-GLOBAL ID:200902164359539600
整理番号:02A0011774
高κ絶縁体を有する金属-酸化物-半導体系におけるSi反転層中の実効電子移動度 遠隔フォノン散乱の役割
Effective electron mobility in Si inversion layers in metal-oxide-semiconductor systems with a high-κ insulator: The role of remote phonon scattering.
著者 (3件):
FISCHETTI M V
(IBM Res. Div., New York)
,
NEUMAYER D A
(IBM Res. Div., New York)
,
CARTIER E A
(IBM Res. Div., New York)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
90
号:
9
ページ:
4587-4608
発行年:
2001年11月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)