文献
J-GLOBAL ID:200902164384539895
整理番号:94A0024735
LOCOS及びトレンチ絶縁MOSFETからの光放出ホットキャリアの2次元的解析
A Two-Dimensional Analysis of Hot-Carrier Photoemission from LOCOS- and Trench-Isolated MOSFETs.
著者 (4件):
OHZONE T
(Toyama Prefectural Univ., Toyama-ken, JPN)
,
IWATA H
(Toyama Prefectural Univ., Toyama-ken, JPN)
,
URAOKA Y
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi-shi, JPN)
,
ODANAKA S
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi-shi, JPN)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
E76-C
号:
11
ページ:
1673-1682
発行年:
1993年11月
JST資料番号:
L1370A
ISSN:
0916-8524
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)