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文献
J-GLOBAL ID：200902164434388559
整理番号：97A0034656
高温プロセスに耐える低抵抗ポリ-メタルゲート電極
Low-Resistivity Poly-Metal Gate Electrode Durable for High-Temperature Processing.
AKASAKA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUEHIRO S
(Toshiba Corp., Fukuoka, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NAKASUGI T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MIYANO K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OYAMATSU H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MATSUOKA F
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KAKUMU M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGURO K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 43 号： 11 ページ： 1864-1869 発行年： 1996年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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