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文献
J-GLOBAL ID：200902164494977006
整理番号：93A0841261
13.3S/Vcm K値を有する0.15μmゲートi-AlGaAs/n-GaAs HIGFET
0.15μM Gate i-AlGaAs/n-GaAs HIGFET with a 13.3S/Vcm K-Value.
MATSUMOTO H
(Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, JPN)
,
UMEMOTO Y
(Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, JPN)
,
OHISHI Y
(Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, JPN)
,
TAKAHAMA M
(Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, JPN)
,
HIRUMA K
(Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, JPN)
,
ODA H
(Hitachi VLSI Engineering Corp., Kodaira-shi, JPN)
,
MIYAZAKI M
(Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, JPN)
,
IMAMURA Y
(Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E76-C 号： 9 ページ： 1373-1378 発行年： 1993年09月
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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