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文献
J-GLOBAL ID：200902164684946557
整理番号：01A0489804
室温でのオゾンガスによる超薄SiO2の一層ごとの成長の原子間力顕微鏡観察
Atomic force microscopy observation of layer-by-layer growth of ultrathin silicon dioxide by ozone gas at room temperature.
MAEDA T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KUROKAWA A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SAKAMOTO K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ANDO A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ITOH H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ICHIMURA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 19 号： 2 ページ： 589-592 発行年： 2001年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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