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文献
J-GLOBAL ID：200902164743734380
整理番号：01A0219678
極めて低欠陥濃度の自立した水素化物気相エピタクシー成長GaNの特性
Characteristics of free-standing hydride-vapor-phase-epitaxy-grown GaN with very low defect concentration.
VISCONTI P
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
JONES K M
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
RESHCHIKOV M A
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
YUN F
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
CINGOLANI R
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
MORKOC H
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
PARK S S
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
LEE K Y
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 23 ページ： 3743-3745 発行年： 2000年12月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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