文献
J-GLOBAL ID:200902164869199839
整理番号:96A0607868
反応性イオンエッチングにより作製したCdZnSe/ZnSe量子井戸構造の光ルミネセンス
Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching.
著者 (5件):
STRAUB H
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
BRUNTHALER G
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
FASCHINGER W
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
BAUER G
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
VIEU C
(Lab. Microstructures et de Microelectronique, CNRS, Bagneux, FRA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
159
号:
1/4
ページ:
451-454
発行年:
1996年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)