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文献
J-GLOBAL ID：200902164896278643
整理番号：02A0941230
バルクAlNの結晶成長 6H-SiC基板上の自己シーディングおよびシーディング
Bulk AlN crystal growth: Self-seeding and seeding on 6H-SiC substrates.
EDGAR J H
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
LIU L
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
LIU B
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
ZHUANG D
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
CHAUDHURI J
(Wichita State Univ., KS, USA)
,
KUBALL M
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
,
RAJASINGAM S
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 246 号： 3/4 ページ： 187-193 発行年： 2002年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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