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文献
J-GLOBAL ID：200902164992292738
整理番号：99A0126776
余分のインジウムフラックスがあるMBEにより成長させた窒化ガリウム層の光ルミネセンスの改善
Improvement of the photoluminescence from gallium nitride layers grown by MBE with an additional incident indium flux.
FOXON C T
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
HOOPER S E
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
CHENG T S
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
ORTON J W
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
REN G B
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
YA BER B
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, RUS)
,
MERKULOV A V
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, RUS)
,
NOVIKOV S V
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
TRET’YAKOV V V
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, RUS)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 13 号： 12 ページ： 1469-1471 発行年： 1998年12月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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