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文献
J-GLOBAL ID：200902165119006482
整理番号：94A0687307
真空中における薄い酸化けい素膜上の接触帯電
Contact Electrification on Thin Silicon Oxide in Vacuum.
TSUYUGUCHI T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
UCHIHASHI T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
OKUSAKO T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
SUGAWARA Y
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
MORITA S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
YAMANISHI Y
(Sumitomo Metal Industries, Ltd., Amagasaki)
,
OASA T
(Sumitomo Metal Industries, Ltd., Amagasaki)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 33 号： 7B ページ： L1046-L1048 発行年： 1994年07月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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