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文献
J-GLOBAL ID：200902165121705738
整理番号：03A0088323
SOI厚5nm以下の極薄ボディーSOInおよびpMOSFETにおけるキャリア輸送メカニズムの実験検討
Experimental Study on Carrier Transport Mechanism in Ultrathin-body SOI n- and p-MOSFETs with SOI Thickness less than 5 nm.
UCHIDA K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
WATANABE H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KINOSHITA A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KOGA J
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
NUMATA T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002 ページ： 47-50 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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