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文献
J-GLOBAL ID：200902165176916401
整理番号：96A0690932
ヘテロエピタキシャル成長すずドープインジウム酸化物薄膜の電気的性質
Electrical properties of heteroepitaxial grown tin-doped indium oxide films.
TAGA N
(Asahi Glass Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
ODAKA H
(Asahi Glass Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
SHIGESATO Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YASUI I
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KAMEI M
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
HAYNES T E
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 80 号： 2 ページ： 978-984 発行年： 1996年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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