文献
J-GLOBAL ID:200902165193462325
整理番号:01A0628638
選択液相酸化ゲートを有するGaAs MOSFETの作製
GaAs MOSFET’s Fabrication with a Selective Liquid Phase Oxidized Gate.
著者 (4件):
WU J-Y
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG H-H
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Y-H
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HOUNG M-P
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
48
号:
4
ページ:
634-637
発行年:
2001年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)