文献
J-GLOBAL ID:200902165212455769
整理番号:99A0969590
疑似モノリシックSi環境におけるGaAs FETの特性化
GaAs FET Characterization in a Quasi-Monolithic Si Environment.
著者 (8件):
WASIGE E
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
KOMPA G
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
VAN RAAY F
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
SCHOLZ W
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
RANGELOW I W
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
KASSING R
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
BERTRAM S
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
HUDEK P
(Slovak Acad. Sci., SVK)
資料名:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
(IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻:
1999
号:
Vol.4
ページ:
1889-1892
発行年:
1999年
JST資料番号:
A0636A
ISSN:
0149-645X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)