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文献
J-GLOBAL ID：200902165221637950
整理番号：97A0627310
金属-酸化膜-半導体の先端理論 定常状態非平衡条件
Advancing metal-oxide-semiconductor theory: Steady-state nonequilibrium conditions.
PASSLACK M
(Bell Lab., New Jersey)
,
HONG M
(Bell Lab., New Jersey)
,
SCHUBERT E F
(Bell Lab., New Jersey)
,
ZYDZIK G J
(Bell Lab., New Jersey)
,
MANNAERTS J P
(Bell Lab., New Jersey)
,
HOBSON W S
(Bell Lab., New Jersey)
,
HARRIS T D
(Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 81 号： 11 ページ： 7647-7661 発行年： 1997年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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