文献
J-GLOBAL ID:200902165302165786
整理番号:94A0578293
カルボキシル化されたビス(1,10-フェナントロリン)銅(I)錯体によるバンドギャップの大きい半導体(薄膜およびセラミックス)のスペクトル増感
Spectral Sensitization of Large-band-gap Semiconductors (Thin Films and Ceramics) by a Carboxylated Bis(1,10-Phenanthroline)copper(I) Complex.
著者 (3件):
ALONSO-VANTE N
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
,
NIERENGARTEN J-F
(Univ. Louis Pasteur, Strasbourg, FRA)
,
SAUVAGE J-P
(Univ. Louis Pasteur, Strasbourg, FRA)
資料名:
Journal of the Chemical Society. Dalton Transactions
(Journal of the Chemical Society. Dalton Transactions)
号:
11
ページ:
1649-1654
発行年:
1994年06月07日
JST資料番号:
A0270A
ISSN:
1472-7773
CODEN:
JCDTBI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)