文献
J-GLOBAL ID:200902165395148428
整理番号:97A0014670
急速焼なまし時のほう素ドープLPCVD多結晶シリコンの電気的及び圧電抵抗特性の評価
Electrical and piezoresistive characterization of boron-doped LPCVD polycrystalline silicon under rapid thermal annealing.
著者 (5件):
LE BERRE M
(INSA, Villeurbanne, FRA)
,
KLEIMANN P
(INSA, Villeurbanne, FRA)
,
SEMMACHE B
(INSA, Villeurbanne, FRA)
,
BARBIER D
(INSA, Villeurbanne, FRA)
,
PINARD P
(INSA, Villeurbanne, FRA)
資料名:
Sensors and Actuators. A. Physical
(Sensors and Actuators. A. Physical)
巻:
54
号:
1/3
ページ:
700-703
発行年:
1996年06月
JST資料番号:
B0345C
ISSN:
0924-4247
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)