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文献
J-GLOBAL ID:200902165395148428   整理番号:97A0014670

急速焼なまし時のほう素ドープLPCVD多結晶シリコンの電気的及び圧電抵抗特性の評価

Electrical and piezoresistive characterization of boron-doped LPCVD polycrystalline silicon under rapid thermal annealing.
著者 (5件):
LE BERRE M
(INSA, Villeurbanne, FRA)
KLEIMANN P
(INSA, Villeurbanne, FRA)
SEMMACHE B
(INSA, Villeurbanne, FRA)
BARBIER D
(INSA, Villeurbanne, FRA)
PINARD P
(INSA, Villeurbanne, FRA)

資料名:
Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)

巻: 54  号: 1/3  ページ: 700-703  発行年: 1996年06月 
JST資料番号: B0345C  ISSN: 0924-4247  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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