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文献
J-GLOBAL ID：200902165418961458
整理番号：99A0905431
昇華成長4H SiCエピタキシャル層におけるドメインミスオリエンテーション
Domain misorientation in sublimation grown 4H SiC epitaxial layers.
TUOMINEN M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
YAKIMOVA R
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
SYVAEJAERVI M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZEN E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B61/B62 ページ： 168-171 発行年： 1999年07月30日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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