前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902165501519660
整理番号：00A0144925
シンクロトロン放射アブレーションにより室温で作製した低電気抵抗で高透過率の酸化インジウムすず薄膜
Low-Resistivity Highly Transparent Indium-Tin-Oxide Thin Films Prepared at Room Temperature by Synchrotron Radiation Ablation.
AKAGI Y
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
HANAMOTO K
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
SUZUKI H
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
KATOH T
(Sumitomo Heavy Ind. Ltd., Tanashi, JPN)
,
SASAKI M
(Industrial Res. Center of Shiga Prefecture, Shiga)
,
IMAI S
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
TSUDAGAWA M
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
NAKAYAMA Y
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
MIKI H
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 12A ページ： 6846-6850 発行年： 1999年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。