文献
J-GLOBAL ID:200902165523402430
整理番号:93A0811266
直接バンドギャップ領域におけるGaAs及びGa1-xAlxAsバンドギャップの温度とアルミニウムモル分率への依存性の実験決定
Experimental determination of the GaAs and Ga1-xAlxAs band-gap energy dependence on temperature and aluminum mole fraction in the direct band-gap region.
著者 (4件):
EL ALLALI M
(Oersted Lab., Copenhagen, DNK)
,
SORENSEN C B
(Oersted Lab., Copenhagen, DNK)
,
VEJE E
(Oersted Lab., Copenhagen, DNK)
,
TIDEMAND-PETERSSON P
(TFL, Horsholm, DNK)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
48
号:
7
ページ:
4398-4404
発行年:
1993年08月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)