文献
J-GLOBAL ID:200902165528645691
整理番号:98A0964026
ガス源分子ビームエピタクシーで成長させた室温の2.2μm InAs-InGaAs-InP高歪層量子井戸レーザ
Room-Temperature 2.2-μm InAs-InGaAs-InP Highly Strained Multiquantum-Well Lasers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy.
著者 (3件):
WANG J-S
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIN H-H
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SUNG L-W
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
34
号:
10
ページ:
1959-1962
発行年:
1998年10月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)