文献
J-GLOBAL ID:200902165743517319
整理番号:94A0353062
サブμmの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける単一電子の界面捕獲に対するCoulombエネルギーの評価
Evaluation of the Coulomb energy for single-electron interface trapping in sub-μm metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
著者 (3件):
MUELLER H H
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
WOERLE D
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
SCHULZ M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
75
号:
6
ページ:
2970-2979
発行年:
1994年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)