文献
J-GLOBAL ID:200902165761859804
整理番号:98A0527464
InGaAs単一量子ドットの低温近接場光ルミネセンス分光
Low Temperature Near-Field Photoluminescence Spectroscopy of InGaAs Single Quantum Dots.
著者 (3件):
SAIKI T
(Kanagawa Acad. Sci. and Technol., Kanagawa, JPN)
,
NISHI K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
OHTSU M
(Kanagawa Acad. Sci. and Technol., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
37
号:
3B
ページ:
1638-1642
発行年:
1998年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)