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文献
J-GLOBAL ID：200902165832658570
整理番号：94A0592971
モノリシックn型6H-SiC圧電センサ素子の特性化
Characterization of Monolithic n-Type 6H-SiC Piezoresistive Sensing Elements.
SHOR J S
(Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA)
,
BEMIS L
(Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA)
,
KURTZ A D
(Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 41 号： 5 ページ： 661-665 発行年： 1994年05月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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