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文献
J-GLOBAL ID：200902165921671548
整理番号：96A0663918
テルル薄膜の堆積とアニーリング後のSi(100)表面のXPS,LEEDとAFMによる研究
XPS, LEED and AFM investigation of the Si(100) surface after the deposition and annealing of tellurium thin films.
SANTUCCI S
(Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA)
,
DI NARDO S
(Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA)
,
LOZZI L
(Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA)
,
PASSACANTANDO M
(Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA)
,
PICOZZI P
(Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 352/354 号： 1/3 ページ： 1027-1032 発行年： 1996年05月15日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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