文献
J-GLOBAL ID:200902165988937208
整理番号:99A0263774
AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
High Performance V-Band Flip-Chip Gunn Diode Oscillator Fabricated on AlN Substrate.
著者 (5件):
中川敦
(新日本無線)
,
渡辺健一
(新日本無線)
,
出口忠義
(新日本無線)
,
小池誠二
(新日本無線)
,
木村親夫
(新日本無線)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
98
号:
518(ED98 197-212)
ページ:
91-97
発行年:
1999年01月21日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)