文献
J-GLOBAL ID:200902166073741677
整理番号:01A1044320
n型GaNの電気的性質ならびにオーム接触性能に及ぼすN2Oプラズマ表面処理の影響
Effects of N2O Plasma Surface Treatment on the Electrical and Ohmic Contact Properties of n-Type GaN.
著者 (5件):
KIM H
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
PARK N-M
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
JANG J-S
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
PARK S-J
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
HWANG H
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
資料名:
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻:
4
号:
11
ページ:
G104-G106
発行年:
2001年11月
JST資料番号:
W1290A
ISSN:
1099-0062
CODEN:
ESLEF6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)