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文献
J-GLOBAL ID：200902166161373440
整理番号：02A0633908
ゲート,ソース・ドレイン,およびエクステンションのための注入・アニールをデカップリングするゲートポストドーピング 0.1μm CMOS技術のためのポリシリコンゲート活性化の最大化
Gate Postdoping to Decouple Implant/Anneal for Gate, Source/Drain, and Extension: Maximizing Polysilicon Gate Activation for 0.1μm CMOS Technologies.
PARK H
(IBM Microelectronics Semiconductor Res. and Dev. Center, NY)
,
SCHEPIS D
(IBM Microelectronics Semiconductor Res. and Dev. Center, NY)
,
MOCUTA A C
(IBM Microelectronics Semiconductor Res. and Dev. Center, NY)
,
KHARE M
(IBM Microelectronics Semiconductor Res. and Dev. Center, NY)
,
AJMERA A
(IBM Microelectronics Semiconductor Res. and Dev. Center, NY)
,
SLEIGHT J
(IBM Microelectronics Semiconductor Res. and Dev. Center, NY)
,
O’NEIL P
(IBM Microelectronics Semiconductor Res. and Dev. Center, NY)
,
MACIEJEWSKI E
(IBM Microelectronics Semiconductor Res. and Dev. Center, NY)
,
LAVOIE C
(IBM, NY)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2002 ページ： 134-135 発行年： 2002年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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