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文献
J-GLOBAL ID：200902166185513138
整理番号：02A0355800
連続波レーザ横方向結晶化を利用した非アルカリガラス上の高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタ
High-Performance Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors on Non-Alkali Glass Produced Using Continuous Wave Laser Lateral Crystallization.
HARA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKEUCHI F
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKEI M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SUGA K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YOSHINO K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
CHIDA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SANO Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SASAKI N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 3B ページ： L311-L313 発行年： 2002年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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