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文献
J-GLOBAL ID：200902166310419513
整理番号：02A0372504
実時間赤外分光と分光エリプソメトリーによるアモルファス及び微結晶Si:H薄膜におけるけい素-水素結合モードの深さフロフィル
Depth profiling of silicon-hydrogen bonding modes in amorphous and microcrystalline Si:H thin films by real-time infrared spectroscopy and spectroscopic ellipsometry.
FUJIWARA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki-ken, JPN)
,
KONDO M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki-ken, JPN)
,
MATSUDA A
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki-ken, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 91 号： 7 ページ： 4181-4190 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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