文献
J-GLOBAL ID:200902166362010265
整理番号:01A0234022
RF-PECVDを用いてジクロロシランから堆積した微結晶Si膜
Microcrystalline Si films deposited from dichlorosilane using RF-PECVD.
著者 (3件):
GUO L
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KONDO M
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
MATSUDA A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻:
66
号:
1/4
ページ:
405-412
発行年:
2001年02月
JST資料番号:
D0513C
ISSN:
0927-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)