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文献
J-GLOBAL ID：200902166429951361
整理番号：97A0216946
低温成長させたGaAsにおける非常に短い光キャリア緩和時間の研究
Investigation of ultrashort photocarrier relaxation times in low-temperature-grown GaAs.
MCLNTOSH K A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
NICHOLS K B
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
VERGHESE S
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
BROWN E R
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 3 ページ： 354-356 発行年： 1997年01月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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