文献
J-GLOBAL ID:200902166522351412
整理番号:93A0384970
共鳴トンネルリングホットエレクトロントランジスタに対する最高40Tまでの高磁場効果
High-magnetic-field effects on a resonant-tunneling hot-electron transistor measured up to 40T.
著者 (4件):
STRUTZ T
(Univ. Tokyo, JPN)
,
TAKAMASU T
(Univ. Tokyo, JPN)
,
MIURA N
(Univ. Tokyo, JPN)
,
IMAMURA K
(Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN)
資料名:
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻:
184
号:
1/4
ページ:
254-258
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
H0676B
ISSN:
0921-4526
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)