文献
J-GLOBAL ID:200902166536712329
整理番号:01A0523883
高度の無線通信に対するGaNによるヘテロ接合FETの適用
Application of GaN-Based Heterojunction FETs for Advanced Wireless Communication.
著者 (2件):
OHNO Y
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
KUZUHARA M
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
48
号:
3
ページ:
517-523
発行年:
2001年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)