文献
J-GLOBAL ID:200902166559702207
整理番号:93A0439166
ウエハの張り合わせ法と選択的研磨法とを利用して製造した高速SOIバイポーラトランジスタ
Special Issue on Sub-Half Micron Si Device and Process Technologies. High-Speed SOI Bipolar Transitors Using Bonding and Thinning Techniques.
著者 (8件):
KOJIMA M
(FUJITSU LAB., LTD., Atusgi-shi, JPN)
,
FUKURODA A
(FUJITSU LAB., LTD., Atusgi-shi, JPN)
,
FUKANO T
(FUJITSU LAB., LTD., Atusgi-shi, JPN)
,
HIGAKI N
(FUJITSU LAB., LTD., Atusgi-shi, JPN)
,
YAMAZAKI T
(FUJITSU LAB., LTD., Atusgi-shi, JPN)
,
SUGII T
(FUJITSU LAB., LTD., Atusgi-shi, JPN)
,
ARIMOTO Y
(FUJITSU LAB., LTD., Atusgi-shi, JPN)
,
ITO T
(FUJITSU LAB., LTD., Atusgi-shi, JPN)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
E76-C
号:
4
ページ:
572-576
発行年:
1993年04月
JST資料番号:
L1370A
ISSN:
0916-8524
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)