文献
J-GLOBAL ID:200902166585267845
整理番号:93A0830881
An approach to develop and verify tractable chemical models for CVD of Si, C and SiC.
著者 (2件):
BLANQUET E
(NASA Lewis Research Center, OH)
,
GOKOGLU S A
(NASA Lewis Research Center, OH)
資料名:
Proceedings of the International Conference on Chemical Vapor Deposition
(Proceedings of the International Conference on Chemical Vapor Deposition)
巻:
12th
ページ:
103-109
発行年:
1993年
JST資料番号:
E0761A
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)