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文献
J-GLOBAL ID:200902166651130236   整理番号:93A0359704

New metal-organic precursors for growth of GaAs and AlxGa1-xAs by chemical beam epitaxy.

著者 (4件):
JONES A C
(Epichem Ltd., Merseyside, GBR)
LANE P A
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
MARTIN T
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
WHITEHOUSE C R
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)

資料名:
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

巻: 17  号: 1/3  ページ: 1-8  発行年: 1993年02月28日 
JST資料番号: T0553A  ISSN: 0921-5107  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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